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RJP63K2DPK-M0

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

*Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) *Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.9Vtyp *Highspeedswitching:tr=60nstyp,tf=200nstyp. *Lowleakcurrent:ICES=1?Amax

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    RJP63K2DPK-M0

  • 制造商：

    RENESAS

  • 制造商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述：

    Silicon N Channel IGBT High speed power switching

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
RENESAS
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更多RJP63K2DPK-M0供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-4 12:59:00

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