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RJP63K2DPK-M0中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RJP63K2DPK-M0
廠商型號

RJP63K2DPK-M0

功能描述

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

文件大小

160.93 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-14 13:00:00

RJP63K2DPK-M0規(guī)格書詳情

* Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

* Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.9 V typ

* High speed switching: tr= 60 ns typ, tf= 200 ns typ.

* Low leak current: ICES= 1 ?A max

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    RJP63K2DPK-M0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High speed power switching

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS
23+
TO-220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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RENESAS/瑞薩
22+
TO220
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原裝正品
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RENESAS/瑞薩
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880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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RENESAS/瑞薩
23+
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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