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RJP60F4DPM分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
RJP60F4DPM |
參數(shù)屬性 | RJP60F4DPM 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM |
功能描述 | 600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching |
封裝外殼 | TO-220-3 整包 |
文件大小 |
85.61 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-5-21 23:00:00 |
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RJP60F4DPM規(guī)格書詳情
Features
● Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15V, Ta = 25°C)
● Trench gate and thin wafer technology
● High speed switching
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
RJP60F4DPM-00#T1
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝道
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
1.82V @ 15V,30A
- 輸入類型:
標(biāo)準
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
45ns/70ns
- 測試條件:
400V,30A,5 歐姆,15V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-3PFM
- 描述:
IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
NA/ |
4409 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
RENESAS |
24+ |
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80000 |
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詢價 | ||
RENESAS |
18+ |
TO-3P |
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RENESAS/瑞薩 |
24+ |
TO3P |
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RENESAS/瑞薩 |
22+ |
TO-3PFM |
25000 |
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詢價 | ||
RENESAS |
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RENESAS/瑞薩 |
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Renesas |
22+ |
TO3PFM |
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RENESAS |
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Renesas Electronics America |
2022+ |
TO-3PFM |
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