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RJP60D0DPP-M0分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

RJP60D0DPP-M0
廠商型號(hào)

RJP60D0DPP-M0

參數(shù)屬性

RJP60D0DPP-M0 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 45A 35W TO-220FL

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

85.11 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-22 10:23:00

RJP60D0DPP-M0規(guī)格書詳情

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features

? Short circuit withstand time (5 ?s typ.)

? Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)

? Gate to emitter voltage rating ?30 V

? Pb-free lead plating and chip bonding

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    RJP60D0DPP-M0#T2

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,22A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    35ns/90ns

  • 測(cè)試條件:

    300V,22A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220FL

  • 描述:

    IGBT 600V 45A 35W TO-220FL

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
RENESAS/瑞薩
22+
TO-220F
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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Renesas
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當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
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