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RJP60F4DPM

600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching

Features ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=30A,VGE=15V,Ta=25°C) ●Trenchgateandthinwafertechnology ●Highspeedswitching

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RJP60F4DPM_15

600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching

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RJP60F4DPM-00#T1

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 整包 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM

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RJH60F4DPK

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

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RJH60F4DPK

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=30A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=80nstyp.(atIC=

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    RJP60F4DPM

  • 制造商：

    RENESAS

  • 制造商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述：

    600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching

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更多RJP60F4DPM供應(yīng)商 更新時間2024-11-7 20:00:00

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