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RJH60F4DPK

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=30A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=80nstyp.(atIC=

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Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=30A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=80nstyp.(atIC=

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Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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RJH60F4DPK-00#T0

Package：TO-220-3 整包；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 60A 235.8W TO-3P

Renesas Electronics America Inc

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Renesas Electronics America Inc

RJP60F4DPM

600V-30A-IGBTHighSpeedPowerSwitching

Features ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=30A,VGE=15V,Ta=25°C) ●Trenchgateandthinwafertechnology ●Highspeedswitching

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    RJH60F4DPK

  • 制造商：

    RENESAS

  • 制造商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述：

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
RENESAS/瑞薩
20+21+
TO-3P
58550
金睿揚(yáng)電子,只做全新原裝正品可訂貨歡迎咨詢QQ微信
 詢價(jià)
RENESAS
24+
TO-3P
4000
原裝原廠代理 可免費(fèi)送樣品
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NORDI
2021++
QFN20
10000
原裝正品價(jià)格優(yōu)勢(shì)!歡迎詢價(jià)QQ:385913858TEL:15
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25+
3P
8880
原裝認(rèn)準(zhǔn)芯澤盛世！
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22+
TO-3P
8900
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11+
TO-3P
25
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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RENESAS
22+
TO-3P
5000
本公司只做原裝正品,優(yōu)勢(shì)供貨渠道!量大可訂!
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RENESAS
TO-3P
50000
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
2023+
TO-3P
20000
AI智能識(shí)別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站
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RENESAS/瑞薩
10+
TO-3P
58000
詢價(jià)
更多RJH60F4DPK供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-24 13:00:00

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