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RJQ6003DPM中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RJQ6003DPM
廠商型號

RJQ6003DPM

功能描述

600V - 20A - IGBT and Diode High Speed Power Switching

文件大小

110 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-12 11:09:00

RJQ6003DPM規(guī)格書詳情

Features

? Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)

? Built in fast recovery diode in one package

? Trench gate and thin wafer technology

? High speed switching

tr = 85 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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