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RM100N60AT2中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RM100N60AT2
廠商型號(hào)

RM100N60AT2

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

100N60

封裝外殼

TO-220-3L

文件大小

346 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-22 23:00:00

RM100N60AT2規(guī)格書詳情

Description

The RM100N60AT2 uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications.

General Feature

VDS =60V,ID =100A

RDS(ON) < 6.5mΩ @ VGS=10V (Typ:5.7mΩ)

Special process technology for high ESD capability

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized Avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

Application

Power switching application

Hard switched and high frequency circuits

Uninterruptible power supply

Halogen-free

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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