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RM10N600LD中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
RM10N600LD |
| 功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | TO-252-2L |
| 文件大小 |
1.86187 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Rectron Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
RECTRON |
| 中文名稱 | Rectron Semiconductor官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-30 16:10:00 |
| 人工找貨 | RM10N600LD價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
RM10N600LD規(guī)格書詳情
General Description
The RM10N600LD use advanced trench gate super
junction technology and design to provide excellent RDS(ON)
with low gate charge. This super junction MOSFET fits the
industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC
power conversion, and industrial power applications.
Features
VDS =600V,ID =10.2A
RDS(ON) =268mΩ (typical) @ VGS=10V
New technology for high voltage device
Low on-resistance and low conduction losses
Small package
Ultra Low Gate Charge cause
100% Avalanche Tested
ROHS compliant
Halogen-free
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三菱 |
24+ |
模塊 |
2060 |
專業(yè)供應(yīng)模塊 熱賣庫存 |
詢價(jià) | ||
MITSUBISHI |
2018+ |
module |
6000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,假一賠佰 |
詢價(jià) | ||
MITSUBISHI |
24+ |
模塊 |
189 |
詢價(jià) | |||
DBLECTRO |
23+ |
原廠原包 |
29960 |
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
MITSUBISHI |
24+ |
MODULE |
2173 |
公司大量全新正品 隨時(shí)可以發(fā)貨 |
詢價(jià) | ||
MITSUBISHI |
專業(yè)模塊 |
MODULE |
8513 |
模塊原裝主營-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
MIT |
10+ |
IGBT |
55 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
MITSUBISHI |
23+ |
模塊 |
360 |
價(jià)格優(yōu)勢/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢 |
詢價(jià) | ||
MITSUBISHI |
23+ |
模塊 |
3562 |
詢價(jià) | |||
MITSUBISHI |
24+ |
模塊 |
6430 |
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢 |
詢價(jià) |
