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RM2304E中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RM2304E
廠商型號

RM2304E

功能描述

N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology.

絲印標識

2304

封裝外殼

SOT-23

文件大小

682.41 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-22 18:41:00

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RM2304E規(guī)格書詳情

FEATURES

RDS(ON)<60mΩ@VGS=10V

RDS(ON)<70mΩ@VGS=4.5V

RDS(ON)<100mΩ@VGS=2.5V

ESD Protection

Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
AIRBORN
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1983
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