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RM2304E

Marking：2304；Package：SOT-23；N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology.

FEATURES RDS(ON)

RECTRON

Rectron Semiconductor

RN2304

TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess)

Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN1301~1306

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

RSZ-2304

1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput

RECOM

Recom International Power

RSZ-2304HP

1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput

RECOM

Recom International Power

SE2304

SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS

WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP

威倫威倫電子股份有限公司

SF2304B

175MHzSAWFilter

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

SI2304

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

SI2304

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?30V,2.5A,RDS(ON)=65mΩ@VGS=10V 30V,2.0A,

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

SI2304

N-channelenhancementmodefield-effecttransistor

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology Productavailability: SI2304DSinSOT23. Features ■TrenchMOS?technology ■Veryfastswitching ■Subminiaturesurfacemountpackage. Applications ■Batterymanagement

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

SI2304A

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

Features VDS(V)=30V RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

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更多RM2304E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-14 9:06:00

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