RM60N100T2中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	RM60N100T2
功能描述	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
絲印標識	60N100
封裝外殼	TO-220
文件大小	1.2596 Mbytes
頁面數(shù)量	7 頁
生產(chǎn)廠商	Rectron Semiconductor
企業(yè)簡稱	RECTRON
中文名稱	Rectron Semiconductor官網(wǎng)
原廠標識
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更新時間	2025-2-24 18:00:00
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General Features

Special process technology for high ESD capability

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

VDS =100V,ID =60A

RDS(ON) =9.2mΩ(typical) @ VGS=10V

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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