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RM60N100T2

Marking：60N100；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GeneralFeatures SpecialprocesstechnologyforhighESDcapability HighdensitycelldesignforultralowRdson Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent GoodstabilityanduniformitywithhighEAS Excellentpackageforgoodheatdissipation VDS=100V,ID=60A RDS(ON)=9.2mΩ(typical

RECTRON

Rectron Semiconductor

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更多RM60N100T2供應商 更新時間2025-2-9 11:06:00

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