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RM60N100T2

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GeneralFeatures SpecialprocesstechnologyforhighESDcapability HighdensitycelldesignforultralowRdson Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent GoodstabilityanduniformitywithhighEAS Excellentpackageforgoodheatdissipation VDS=100V,ID=60A RDS(ON)=9.2mΩ(typical

RECTRON

Rectron Semiconductor

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更多RM60N100T2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-6 9:06:00