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RN1112分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

RN1112
廠商型號

RN1112
參數(shù)屬性

RN1112 封裝/外殼為SC-75，SOT-416；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
功能描述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
封裝外殼

SC-75，SOT-416
文件大小

267.81 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA【東芝】

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-23 23:00:00

晶體管資料

  • 型號：

    RN1112

  • 別名：

    RN1112三極管、RN1112晶體管、RN1112晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+R

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    DTC124TE,

  • 最大耗散功率：

    0.1W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-15

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0.1

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    RN1112(TE85L,F)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    120 @ 1mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 250μA，5mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-75，SOT-416

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SSM

  • 描述：

    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TOSHIBA/東芝
23+
NA/
6250
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
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TOSHIBA
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TOSHIBA
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SOT-423
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TOSHIBA
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SOD723
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TOSHIBA
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200000
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