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RN2111MFV分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

RN2111MFV
廠商型號(hào)

RN2111MFV

參數(shù)屬性

RN2111MFV 封裝/外殼為SOT-723;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

功能描述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

封裝外殼

SOT-723

文件大小

170.27 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-11 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    RN2111MFV,L3F

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 250μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-723

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    VESM

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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NA/
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TOSHIBA/東芝
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