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RT8209AZQW	文件：336.51 Kbytes Page：18 Pages	SingleSynchronousBuckController Features Ultra-HighEfficiency ResistorProgrammableCurrentLimitbyLowSide RDS(ON)Sense(LosslessLimit) QuickLoadStepResponsewithin100ns 1VFBAccuracyoverLineandLoad 4.5Vto26VBatteryInputRange ResistorProgrammableFrequency IntegratedBootstrapSwitch IntegratedNega	RichTekRichtek Technology Corporation 臺灣立綺立綺科技	RichTek
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S8209	文件：125.82 Kbytes Page：1 Pages	18watt;MiniSpiralCompactFluorescent;4100K;82CRI;GU24base;120volts	SATCO Satco Products, Inc.	SATCO
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STG8209	文件：628.23 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SurfaceMountPackage. ●ESDProtected.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
TPC8209	文件：1.02571 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100UISTested ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?SetTopBox ?LowCurrentDC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
TPC8209	文件：312.48 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSII) LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCApplications ●Smallfootprintduetosmallandthinpackage ●Lowdrain?sourceONresistance:RDS(ON)=30m?(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=10S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA

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更多RN8209GSE供應(yīng)商更新時間2024-11-17 14:08:00

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