首頁>RO4350B>規(guī)格書詳情

RO4350B中文資料恩智浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RO4350B
廠商型號(hào)

RO4350B

功能描述

RF Power LDMOS Transistor

文件大小

474.4 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-12-23 9:14:00

RO4350B規(guī)格書詳情

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

This 63 watt asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed

for cellular base station applications requiring very wide instantaneous

bandwidth capability covering the frequency range of 1805 to 1880 MHz.

? Typical Doherty Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts,

IDQA = 1100 mA, VGSB = 1.45 Vdc, Pout = 63 Watts Avg., Input Signal

PAR = 9.9 dB @ 0.01 Probability on CCDF.

Features

? Advanced High Performance In--Package Doherty

? Designed for Wide Instantaneous Bandwidth Applications

? Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C

Operation

? Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems

? In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units, 56 mm Tape Width, 13--inch Reel.

For R5 Tape and Reel option, see p. 15.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    RO4350B

  • 制造商:

    FREESCALE

  • 制造商全稱:

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述:

    RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
PULSE(普思)
23+
7350
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!
詢價(jià)
N/A
23+
DIP-8
1060
全新原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
24+
N/A
80000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
詢價(jià)
PULSE
21+
65230
詢價(jià)
PULSE ELECTRONICS
2022+
原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
PULSE(普思)
23+
1476
原裝現(xiàn)貨,免費(fèi)供樣,技術(shù)支持,原廠對(duì)接
詢價(jià)
A
24+
b
3
詢價(jià)
萊爾德
22+
NA
500000
萬三科技,秉承原裝,購(gòu)芯無憂
詢價(jià)
WESTCODE
專業(yè)模塊
MODULE
8513
模塊原裝主營(yíng)-可開原型號(hào)增稅票
詢價(jià)
HellermannTyton
17
全新原裝 貨期兩周
詢價(jià)