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RO4350B

GaN Doherty Hybrid Amplifier

Description Accommodatingthefutureof4G/LTEsmallcells,RFHICintroducesRTH23007-10amplifierfabricatedusinganadvancedhighpowerdensityGalliumNitride(GaN)semiconductorprocess.Thishighperformanceamplifierachieveshighefficiencyof45,andpowers7Woverthefrequencyrange

RFHIC

rfhic

RO4350B

RF Power LDMOS Transistor

N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET This63wattasymmetricalDohertyRFpowerLDMOStransistorisdesigned forcellularbasestationapplicationsrequiringverywideinstantaneous bandwidthcapabilitycoveringthefrequencyrangeof1805to1880MHz. ?TypicalDohertySingle--Carrier

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

RO4350B

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

RO4350B

GaN Doherty Hybrid Amplifier

RFHIC

rfhic

RO4350B

GaN Hybrid Power Amplifier

HONGFAHongfa Technology

宏發(fā)電聲廈門(mén)宏發(fā)電聲股份有限公司

RO4350B

RF Power LDMOS Transistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

RO4350B

RF Power LDMOS Transistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

RO4350B

RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

RO4350B

GaN Doherty Hybrid Amplifier

RFHIC

rfhic

RO4350B

GaN Doherty Hybrid Amplifier

RFHIC

rfhic

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    RO4350B

  • 制造商：

    FREESCALE

  • 制造商全稱(chēng)：

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述：

    RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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只做原裝現(xiàn)貨
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十年專(zhuān)營(yíng)原裝現(xiàn)貨,假一賠十
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PULSE(普思)
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現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!
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PULSE(普思)
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1476
原裝現(xiàn)貨,免費(fèi)供樣,技術(shù)支持,原廠對(duì)接
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HellermannTyton
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全新原裝 貨期兩周
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更多RO4350B供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-1 15:00:00

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