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RTH23007-10

GaN Doherty Hybrid Amplifier

Description Accommodatingthefutureof4G/LTEsmallcells,RFHICintroducesRTH23007-10amplifierfabricatedusinganadvancedhighpowerdensityGalliumNitride(GaN)semiconductorprocess.Thishighperformanceamplifierachieveshighefficiencyof45,andpowers7Woverthefrequencyrange

RFHIC

rfhic

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更多RTH23007-10供應(yīng)商 更新時間2025-2-4 11:00:00

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