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RXO2016M	文件：264.38 Kbytes Page：1 Pages	Low RMS Phase Jitter XO Features ?Frequency(Fn):31.25to160MHz ?Output:LVPECL,LVDSorHCSL ?Widefrequencyrange ?Operatingtemperature:-40to105°C ?LowphasenoiseandRMSjitter Applications ?Datacentre,Telecom,Networking,Server,Storage,Instrumentation ?GBEthernet,SONET,SATA,SAS,Fibr	RAKON Rakon Limited	RAKON
RXT2016AT	文件：552.17 Kbytes Page：6 Pages	LowprofileSMDAT-cutquartzcrystalwiththermally	TEMEX temex	TEMEX
S2016N	文件：222.45 Kbytes Page：12 Pages	SCRs GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	Teccor Teccor Electronics	Teccor
S2016N	文件：212.84 Kbytes Page：12 Pages	SCRs(1Ato70A) GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
S2016N	文件：218.54 Kbytes Page：12 Pages	RoHSCompliant,Electrically-isolatedpackage	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
S2016R	文件：212.84 Kbytes Page：12 Pages	SCRs(1Ato70A) GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
S2016R	文件：222.45 Kbytes Page：12 Pages	SCRs GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	Teccor Teccor Electronics	Teccor
S2016R	文件：218.54 Kbytes Page：12 Pages	RoHSCompliant,Electrically-isolatedpackage	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
SD2016	文件：217.12 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司	SIRECTIFIER
SG2016CAA	文件：488.98 Kbytes Page：2 Pages	愛普生MHZ晶體振蕩器SG2016CAA選型規(guī)格書	YXCSHENZHEN YANGXING TECHNOLOGY CO., LTD 揚(yáng)興深圳揚(yáng)興科技有限公司	YXC
SG2016CAA	文件：511.03 Kbytes Page：2 Pages	CRYSTALOSCILLATOR(SPXO)OUTPUT:CMOS	EPSONEpson Company 愛普生精工愛普生株式會(huì)社	EPSON
SG2016CAA-o	文件：488.98 Kbytes Page：2 Pages	SG2016CAA-datesheet	YXCSHENZHEN YANGXING TECHNOLOGY CO., LTD 揚(yáng)興深圳揚(yáng)興科技有限公司	YXC
SG2016CAN	文件：419.07 Kbytes Page：2 Pages	CRYSTALOSCILLATOR(SPXO)	SIISeiko Instruments Inc 精工愛普生精工愛普生株式會(huì)社	SII
SG2016CAN	文件：514.068 Kbytes Page：2 Pages	愛普生MHZ晶體振蕩器SG2016CAN選型規(guī)格書	YXCSHENZHEN YANGXING TECHNOLOGY CO., LTD 揚(yáng)興深圳揚(yáng)興科技有限公司	YXC
SG2016CAN	文件：506.74 Kbytes Page：2 Pages	CRYSTALOSCILLATOR(SPXO)OUTPUT:CMOS	EPSONEpson Company 愛普生精工愛普生株式會(huì)社	EPSON
SGM2016	文件：112.28 Kbytes Page：4 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016M/PisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellularradio,andDBSIFamplifiers. Features ?Lowvoltageoperation ?LownoiseNF=1.2dB(typ.)at900MHz	SonySony Corporation 索尼	Sony
SGM2016	文件：61.48 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016AM/APisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellular/cordlessphone,andDBSIFamplifiers. Features ?Lowvoltageoperation ?LownoiseNF=1.2dB(typ.	SonySony Corporation 索尼	Sony
SGM2016AM	文件：61.48 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016AM/APisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellular/cordlessphone,andDBSIFamplifiers. Features ?Lowvoltageoperation ?LownoiseNF=1.2dB(typ.	SonySony Corporation 索尼	Sony
SGM2016AN	文件：56.22 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016ANisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellular/cordlessphone,andDBSIFamplifiers. Features ?Ultra-smallpackage ?Lowvoltageoperation ?Lowno	SonySony Corporation 索尼	Sony
SGM2016AP	文件：61.48 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016AM/APisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellular/cordlessphone,andDBSIFamplifiers. Features ?Lowvoltageoperation ?LownoiseNF=1.2dB(typ.	SonySony Corporation 索尼	Sony

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多RXO2016M供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-19 11:00:00

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