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S29GL512N10TFI010

3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit??Process Technology

512Megabit,256Megabit,and128Megabit,3.0Volt-onlyPageModeFlashMemoryfeaturing110nmMirrorBit?ProcessTechnology GeneralDescription TheS29GL512/256/128Nfamilyofdevicesare3.0Vsinglepowerflashmemorymanufacturedusing110nmMirrorBittechnology.TheS29GL512Nisa5

spansionSPANSION

飛索飛索半導體

S29GL512N10TFI010

Package：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC FLASH MEMORY NOR PARALLEL

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    S29GL512N10TFI010

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 系列：

    GL-N

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NOR

  • 存儲容量：

    512Mb（64M x 8，32M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    100ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    56-TSOP

  • 描述：

    IC FLASH MEMORY NOR PARALLEL

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多S29GL512N10TFI010供應(yīng)商 更新時間2025-3-30 22:58:00

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