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1N5817WS

Marking：S6；Package：SOD-323；SCHOTTKY BARRIER DIODE

FEATURES ?LowForwardVoltageDrop ?GuardRingConstructionforTransientProtection ?NegligibleReverseRecoveryTime ?LowCapacitance ?LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives MECHANICALDATA ?Case:SOD-323 ?Terminals:SolderableperMIL-STD-750,Method2026 ?Appro

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

BAS40L

Marking：S6；Package：DFN1006-2；General-purpose Schottky diode

1.Generaldescription General-purposeSchottkydiode,encapsulatedinaleadlessultrasmallDFN1006-2(SOD882) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Highswitchingspeed ?Lowleakagecurrent ?Highbreakdownvoltage ?Lowcapacitance ?AEC-Q101quali

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BZX84-B47

Marking：S6；Package：SOT23；Voltage regulator diodes

1.Generaldescription Low-powervoltageregulatordiodesinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. ThediodesareavailableinthenormalizedE24±1(BZX84-A),±2(BZX84-B)and approximately±5(BZX84-C)tolerancerange.Theseriesincludes37breakdownvolt

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BZX84-B47-Q

Marking：S6；Package：TO-236AB；Voltage regulator diodes

1.Generaldescription Low-powervoltageregulatordiodesinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. ThediodesareavailableinthenormalizedE24±1(BZX84-A),±2(BZX84-B)and approximately±5(BZX84-C)tolerancerange.Theseriesincludes37breakdownvolt

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BZX84W-C27

Marking：S6；Package：SOT323；Voltage regulator diodes

1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinaSOT323(SC-70)leadlessverysmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Wideworkingvoltagerange:nominal2.4Vto75V(E24range) ?Twotoleranceseries:±2and±5 3.Applications ?Gene

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BZX84W-C27-Q

Marking：S6；Package：SC-70；Voltage regulator diodes

1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinaSOT323(SC-70)leadlessverysmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Wideworkingvoltagerange:nominal2.4Vto75V(E24range) ?Twotoleranceseries:±2and±5 ?Qualifiedaccordingto

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

ISL9021IRUCZ-T

Marking：S6；Package：6Ld??TDFN；250mA Single LDO with Low IQ, Low Noise and High PSRR LDO

250mASingleLDOwithLowIQ,LowNoiseandHighPSRRLDO TheISL9021isasingleLDOprovidinghighperformancelowinputvoltage,highPSRR.Itdeliversguaranteedcontinuous250mAloadcurrentandisstablewith1μFto4.7μFofoutputcapacitance(±30)withanESRrangeof5mΩto400mΩ. Featu

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

MBRX160

Marking：S6；Package：SOD-123FL；Schottky Barrier Rectifiers

FEATURES ◇Lowforwardsurgecurrent ◇Idealforsurfacemoutedapplications ◇Lowleakagecurrent

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

NJ2316

Marking：S6；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS

FEATURE TrenchFETPowerMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

PMP5501Y

Marking：S6；Package：SC-88；PNP/PNP matched double transistors

Features *Currentgainmatching *Base-emittervoltagematching *CommonemitterconfigurationforSOT353types *Application-optimizedpinout

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

替換型號

晶體管資料

  • 型號：

    S6000C

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    50HZ－Thy

  • 性質(zhì)：

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    300V

  • 最大電流允許值：

    12A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2N6397,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    B-10

  • vtest：

    300

  • htest：

    999900

  • atest：

    12

  • wtest：

    0

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    S6

  • 制造商：

    Altech Corporation

  • 類別：

    開關(guān) > 可配置開關(guān)元件 - 觸頭塊，觸點塊

  • 包裝：

    散裝

  • 描述：

    CONTACT BLOCK NC BASE MOUNT

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