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SCTWA70N120G2V-4

Marking：SCT70N120G2V；Package：HiP247-4；Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mΩ typ., 91 A in an HiP247?4 package

Features ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode ?Extremelylowgatechargeandinputcapacitance ?Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) ?Sourcesensingpinforincreasedefficiency Applications ?Switchingmodepowersupply ?DC-DCconverters ?Industr

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