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SCTHC250N120G3AG

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 m? typ., 239 A in a STPAK high creepage package

Features ?AEC-Q101qualified ?VerylowRDS(on)overtheentiretemperaturerange ?Highspeedswitchingperformances ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode ?Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) ?Sourcesensingpinforincreasedefficiency ?Lowthermal

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

SCTHS250N120G3AG

Automotive-gradesiliconcarbidePowerMOSFET1200V,8.5m?typ.,239AinaSTPAKpackage

Features ?AEC-Q101qualified ?VerylowRDS(on)overtheentiretemperaturerange ?Highspeedswitchingperformances ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode ?Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) ?Sourcesensingpinforincreasedefficiency Application

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
ST
23+
STPAK
100000
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 詢價(jià)
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23+
5000
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原裝正品
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專營Honeywell 最新到貨, 支持實(shí)單
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查現(xiàn)貨到京北通宇商城
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更多SCTHC250N120G3AG供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-28 16:20:00

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