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SCTHS250N120G3AG

Marking：SC250N12G3AG；Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 m? typ., 239 A in a STPAK package

Features ?AEC-Q101qualified ?VerylowRDS(on)overtheentiretemperaturerange ?Highspeedswitchingperformances ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode ?Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) ?Sourcesensingpinforincreasedefficiency Application

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SCTHC250N120G3AG

Automotive-gradesiliconcarbidePowerMOSFET1200V,8.5m?typ.,239AinaSTPAKhighcreepagepackage

Features ?AEC-Q101qualified ?VerylowRDS(on)overtheentiretemperaturerange ?Highspeedswitchingperformances ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode ?Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) ?Sourcesensingpinforincreasedefficiency ?Lowthermal

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更多SCTHS250N120G3AG供應商 更新時間2025-1-20 14:40:00

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