首頁>SCTWA40N120G2AG>規(guī)格書詳情
SCTWA40N120G2AG中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
廠商型號 |
SCTWA40N120G2AG |
功能描述 | Automotive?grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mΩ typ., 33 A in an HiP247 long leads package |
文件大小 |
257.69 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-1-18 13:50:00 |
SCTWA40N120G2AG規(guī)格書詳情
Features
? AEC-Q101 qualified
? Very fast and robust intrinsic body diode
? Extremely low gate charge and input capacitance
? Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
Applications
? Main inverter (electric traction)
? DC/DC converter for EV/HEV
? On board charger (OBC)
Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device
features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching
performance. The variation of switching loss is almost independent of junction
temperature.
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半導(dǎo)體 |
2021+ |
HiP-247-3 |
7600 |
原裝現(xiàn)貨,歡迎詢價(jià) |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
HiP-247-3 |
36900 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
ST/意法半導(dǎo)體 |
2023 |
HiP-247-3 |
4800 |
公司原裝現(xiàn)貨/支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ST(意法) |
23+ |
15000 |
專業(yè)幫助客戶找貨 配單,誠信可靠! |
詢價(jià) | |||
STMicroelectronics |
23+ |
HiP-247-3 |
3652 |
原廠正品現(xiàn)貨供應(yīng)SIC全系列 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
2023+ |
HiP-247-3 |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
HiP-247-3 |
610880 |
本公司只售原裝 支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
23+ |
HIP247 |
11200 |
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
62000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
HiP-247-3 |
12820 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) |