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SD103AX	文件：198.55 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES ●Lowforwardvoltagedrop. ●Guardringconstructionfortransientprotection. ●Lowreverserecoverytime. ●Lowreversecapacitance. APPLICATIONS ●Schottkybarrierapplication.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
SD103AX	文件：261.64 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPlastic-EncapsulatedDiode FEATURES ●LowForwardVoltageDrop ●GuardRingConstructionforTransientProtection ●LowReverseRecoveryTime ●LowReverseCapacitance	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SD103AX	文件：297.14 Kbytes Page：3 Pages	200mWSmallSignalSchottkyDiode40Volts Features ?GuardRingConstructionforTransientProtection ?LowForwardVoltageDrop ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?Marking:S4 ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?Halogen	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
SD103AX	文件：3.94926 Mbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES ●LowForwardVoltageDrop ●GuardRingConstructionforTransientProtection ●LowReverseRecoveryTime ●LowReverseCapacitance	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI
SD103AX	文件：167.66 Kbytes Page：2 Pages	40V,0.35ASchottkyPlastic-EncapsulatedDiode	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SD103AX	文件：574.27 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES ●Lowforwardvoltagedrop. ●Guardringconstructionfortransientprotection. ●Lowreverserecoverytime. ●Lowreversecapacitance. APPLICATIONS ●Schottkybarrierapplication.	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
SD103AX	文件：193.08 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
SD103AX	文件：331.81 Kbytes Page：3 Pages	200mWSmallSignalSchottkyDiode40Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
SD103AX	文件：245.91 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
SD103AX	文件：278.97 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES ●Lowforwardvoltagedrop. ●Guardringconstructionfortransientprotection. ●Lowreverserecoverytime. ●Lowreversecapacitance. APPLICATIONS ●Schottkybarrierapplication.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
SD103AX	文件：682.47 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES ●LowForwardVoltageDrop ●GuardRingConstructionforTransientProtection ●LowReverseRecoveryTime ●LowReverseCapacitance	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
SD103AX	文件：370.53 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES ●Lowforwardvoltagedrop. ●Guardringconstructionfortransientprotection. ●Lowreverserecoverytime. ●Lowreversecapacitance. APPLICATIONS ●Schottkybarrierapplication.	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰達(dá)半導(dǎo)體深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司	CHENDA
SD103AX	文件：287.98 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode Features ◇Lowforwardvoltagedrop. ◇Guardringconstructionfortransientprotection. ◇Lowreverserecoverytime. ◇Lowreversecapacitance Applications ◇Schottkybarrierapplication.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
SD103AX	文件：542.19 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES ?LowForwardVoltageDrop. ?GuardRingConstructionForTransientProtection. ?NegligibleReverseRecoveryTime. ?LowReverseCapacitance. APPLICATIONS ?Schottybarrierswitching.	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
SD103AX	文件：1.3036 Mbytes Page：5 Pages	LowForwardVoltageDrop FEATURES ●LowForwardVoltageDrop ●GuardRingConstructionforTransientProtection ●LowReverseRecoveryTime ●LowReverseCapacitance	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
SD103AX	文件：460 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features HighCurrentCapability LowForwardVoltageDrop	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
SD103AX	文件：361.67 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes Features ?LowForwardVoltage	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
SD103AXG	文件：142.08 Kbytes Page：3 Pages	LowVFSMDSchottkyBarrierDiode Features ◇Lowpowerloss,highcurrentcapability ◇LowVF,lowreversecurrent ◇UltrasmallSMDpackage ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)withsuffixGon packingcodeandprefixGondatecode MechanicalData ◇Case:	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
SD103AXGRK	文件：142.08 Kbytes Page：3 Pages	LowVFSMDSchottkyBarrierDiode Features ◇Lowpowerloss,highcurrentcapability ◇LowVF,lowreversecurrent ◇UltrasmallSMDpackage ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)withsuffixGon packingcodeandprefixGondatecode MechanicalData ◇Case:	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
SD103AXGRKG	文件：142.08 Kbytes Page：3 Pages	LowVFSMDSchottkyBarrierDiode Features ◇Lowpowerloss,highcurrentcapability ◇LowVF,lowreversecurrent ◇UltrasmallSMDpackage ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)withsuffixGon packingcodeandprefixGondatecode MechanicalData ◇Case:	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC

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更多SD103AWX供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-13 13:00:00

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