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SDS065J008N3中文資料三安半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
SDS065J008N3 |
| 功能描述 | 650V/8A SiC Schottky Barrier Diode |
| 絲印標識 | |
| 封裝外殼 | TO-220N-2L |
| 文件大小 |
936.72 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Sanan Optoelectronics Co., Ltd |
| 企業(yè)簡稱 |
SANAN【三安半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 三安光電股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-3 17:08:00 |
SDS065J008N3規(guī)格書詳情
Zero Reverse Recovery Current
Ceramic Package Provides 2.5kV Isolation
Positive temperature coefficient
Temperature independent performance
High speed switching
Low switc hing loss
Low heat dissipation requirements
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SEC |
TO-220F |
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