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SDS065J008S3中文資料三安半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SDS065J008S3
廠商型號

SDS065J008S3

功能描述

3 rd Generation 65 0V/ 8A SiC Schottky Barrier Diode

絲印標識

DS065008S3

封裝外殼

DFN

文件大小

1.06561 Mbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Sanan Optoelectronics Co., Ltd
企業(yè)簡稱

SANAN三安半導體

中文名稱

三安光電股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-10 16:21:00

SDS065J008S3規(guī)格書詳情

Revolutionary semiconductor material Silicon Carbide (SiC)

N o reverse recovery

High speed switching performance

Temperature independent switching behavior

System cost / size savings due to reduced cooling requirements

J unction temperature range from 55 to 175

RoHS compliant

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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