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SDS120J020H5

5th Generation 1200V/20A SiC Schottky Barrier Diode

Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery High-speedswitchingperformance Temperature-independentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom-55℃to175℃ RoHScompliant

SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd

三安半導(dǎo)體三安光電股份有限公司

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