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SDS120J027H3

3rd Generation 1200V/2 7 A SiC Schottky Barrier Diode

RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom55to175 RoHScompliant

SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd

三安半導(dǎo)體三安光電股份有限公司

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更多SDS120J027H3供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-7 8:24:00

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