SDS120J027H3中文資料三安半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	SDS120J027H3
功能描述	3rd Generation 1200V/2 7 A SiC Schottky Barrier Diode
文件大小	1.18165 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量	9 頁(yè)
生產(chǎn)廠商	Sanan Optoelectronics Co., Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱	SANAN【三安半導(dǎo)體】
中文名稱	三安光電股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)	下載地址一下載地址二
更新時(shí)間	2024-12-29 11:10:00

Revolutionary semiconductor material Silicon Carbide (SiC)

No reverse recovery

High speed switching performance

Temperature independent switching behavior

System cost / size savings due to reduced cooling requirements

Junction temperature range from 55 to 175

RoHS compliant

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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