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SFF75N10Z	文件：125.39 Kbytes Page：2 Pages	75 AMP 100 VOLTS 0.025 OHM N-Channel POWER MOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
75N10	文件：58.98 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
75N10	文件：412.76 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI
ADM75N10	文件：566.02 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM75N10usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)with	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 愛(ài)德微愛(ài)德微(深圳)電子有限公司	ADV
ADM75N10E	文件：561.33 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM75N10EusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)with	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 愛(ài)德微愛(ài)德微(深圳)電子有限公司	ADV
ADM75N10Q	文件：547.96 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM75N10QusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)with	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 愛(ài)德微愛(ài)德微(深圳)電子有限公司	ADV
CEB75N10	文件：403.44 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,72A,RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP75N10	文件：403.44 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,72A,RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
HY75N10T	文件：244.29 Kbytes Page：4 Pages	100V/75AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
IXFH75N10	文件：371.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH75N10	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH75N10	文件：94.17 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH75N10Q	文件：154.74 Kbytes Page：2 Pages	HIPERFETPOWERMOSFETSQCLASS	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH75N10Q	文件：371.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFM75N10	文件：94.17 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM75N10	文件：275.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFM75N10	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT75N10Q	文件：154.74 Kbytes Page：2 Pages	HIPERFETPOWERMOSFETSQCLASS	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA75N10P	文件：581.24 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA75N10P	文件：266.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SFF75N10Z
制造商：
SSDI
制造商全稱：
Solid States Devices, Inc
功能描述：
75 AMP 100 VOLTS 0.025 OHM N-Channel POWER MOSFET

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	SFF7N60	SEMIWELL	23+	TO-220F	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	SFF7N60	S	23+	TO-220F	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	SFF7N60	SEMIWELL	21+	TO-220F	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	SFF7N60	S	TO-220F	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	SFF7N60	SEMIWELL	2048+	TO-220F	9851	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	SFF7N60	samwin	2023+	TO-220F	80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	SFF7N65	HI-SEMICON	23+	TO220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	SFF7N65	HI-SEMICON	23+	TO220	11200	原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO	詢價(jià)
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司	SFF7N65	HI-SEMICON	2023+	TO220	1000	一級(jí)代理優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,全新正品直營(yíng)店	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	SFF7N65	HI-SEMICON	23+	TO220	20000	原裝正品歡迎咨詢	詢價(jià)

更多SFF75N10Z供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-9 15:36:00

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