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SFF80N10M	文件：47.76 Kbytes Page：2 Pages	55 AMP (note 1) /100 Volts 12 mO N-Channel Trench Gate MOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
80N10	文件：974.83 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)175?CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
80N10L	文件：1.92016 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)175?CMOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CMaximumJunctionTemperature ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
BR80N10	文件：1.06093 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
BR80N10	文件：1.6474 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
BRB80N10	文件：887.74 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-263PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
DTP80N10	文件：1.75176 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
HMS80N10KA	文件：920.81 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
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IXFC80N10	文件：70.75 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETTMMOSFETISOPLUS220 HiPerFET?MOSFETISOPLUS220? ElectricallyIsolatedBackSurface Features ●SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ●Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH80N10	文件：93.07 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=12.5m? trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt Features Internationalstandardpackages LowRDS(on) RatedforunclampedInductiveloadswitching(UIS) MoldingepoxiesmeetUL94V-0 flammabilit	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH80N10	文件：371.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=12.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH80N10Q	文件：372.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=15mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH80N10Q	文件：55.78 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=15m? trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,HighdV/dt LowGateChargeandCapacitances Features ?IXYSadvancedlowgatechargeprocess ?Internationalstandardpackages ?Lowgatechargeandcapacitance -ea	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT80N10	文件：93.07 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=12.5m? trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt Features Internationalstandardpackages LowRDS(on) RatedforunclampedInductiveloadswitching(UIS) MoldingepoxiesmeetUL94V-0 flammabilit	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXTA80N10T	文件：190.48 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTMPowerMOSFET VDSS=100V ID25=80A RDS(on)≤14mΩ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages 175°COperatingTemperature AvalancheRated HighCurrentHandlingCapability FastIntrinsicDiode LowRDS(on)	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA80N10T	文件：294.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IXTP80N10T	文件：190.48 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTMPowerMOSFET VDSS=100V ID25=80A RDS(on)≤14mΩ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages 175°COperatingTemperature AvalancheRated HighCurrentHandlingCapability FastIntrinsicDiode LowRDS(on)	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
SFF80N10M
制造商：
SSDI
制造商全稱：
Solid States Devices, Inc
功能描述：
55 AMP(note 1) /100 Volts 12 mO N-Channel Trench Gate MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市亞泰盈科電子有限公司	SFF82	GK		ITO-220A	568923	提供BOM表配單只做原裝貨值得信賴	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	SFF820G	TSC/臺半	1926+	TO-220F	6852	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	SFF8257-102		24+		244	現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	SFF8257-103		23+		11200	原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO	詢價
深圳市賽美科科技有限公司	SFF840	SEMIWE		TO-220F	8560	一級代理原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨	詢價
深圳市明嘉萊科技有限公司	SFF840	SEMIWE	24+	TO-220F	990000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市艾宇欣科技有限公司	SFF-8513-M1113-22E-N	Formerica	1930+	N/A	56	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購物	詢價
深圳市科雨電子有限公司	SFF-8513-M1113-22E-N	FORMERICA	20+	光電元件	98	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價
深圳市易訊博科技有限公司	SFF-8513-M1113-22E-N	Formerica	22+	NA	56	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	SFF-8513-M1113-22E-N		24+	N/A	70000	一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價格-不悔選擇	詢價

更多SFF80N10M供應(yīng)商更新時間2024-12-23 14:00:00

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