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SGB02N120 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

SGB02N120參考圖片

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原廠料號：SGB02N120品牌：INFINEON

全新原裝假一賠十

SGB02N120是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝2A1200V不帶D/TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的SGB02N120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    SGB02N120

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    12 頁

  • 文件大?。?/span>

    386.07 kb

  • 資料說明：

    Fast S-IGBT in NPT-technology

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    SGB02N120ATMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.6V @ 15V，2A

  • 開關(guān)能量：

    220μJ

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    23ns/260ns

  • 測試條件：

    800V，2A，91 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO263-3-2

  • 描述：

    IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    上海意淼電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    吳先生

  • 手機(jī)：

    13681678667

  • 詢價：
  • 電話：

    021-61316768

  • 傳真：

    021-61316867/021-64560311

  • 地址：

    上海市寶山區(qū)大場鎮(zhèn)錦秋路699弄錦秋花園

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