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SGB02N120

Fast S-IGBT in NPT-technology

FastS-IGBTinNPT-technology ?40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: ??-Motorcontrols ??-Inverter ??-SMPS ?NPT-Technologyoffers: ??-verytightparameterdistribution ??-highruggedness,temperaturestablebehavio

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGB02N120

Fast IGBT in NPT-technology Lower Eoff compared to previous generation

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGB02N120_07

Fast IGBT in NPT-technology Lower Eoff compared to previous generation

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGB02N120ATMA1

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGD02N120

FastIGBTinNPT-technology

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=3.6V@IC=2A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·Lowthermalresistance APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·MotorDrives ·UPS,PFC ·Generalpurposeinverter

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SGD02N120

FastIGBTinNPT-technology40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGD02N120

FastS-IGBTinNPT-technology

FastS-IGBTinNPT-technology ?40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: ??-Motorcontrols ??-Inverter ??-SMPS ?NPT-Technologyoffers: ??-verytightparameterdistribution ??-highruggedness,temperaturestablebehavio

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGI02N120

FastS-IGBTinNPT-technology

FastS-IGBTinNPT-technology ?40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: ??-Motorcontrols ??-Inverter ??-SMPS ?NPT-Technologyoffers: ??-verytightparameterdistribution ??-highruggedness,temperaturestablebehavio

InfineonInfineon Technologies AG

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SGI02N120

FastIGBTinNPT-technology40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

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SGP02N120

IGBT

DESCRIPTION ·Fastswitching ·LowSwitchingLosses APPLICATIONS ·Motorcontrols ·Inverter ·SMPS

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SGB02N120

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
9548
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號開票。
 詢價
INFINEON/英飛凌
24+
SOT-263
16965
原裝進(jìn)口假一罰十
 詢價
INFINEON/英飛凌
23+
TO-263
90000
渠道優(yōu)勢 只做原裝現(xiàn)貨庫存 假一賠十
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
N/A
12000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
infineon
24+
SOT263
9250
絕對原裝現(xiàn)貨,價格低,歡迎詢購!
 詢價
英飛翎
17+
D2PAK(TO-263)
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
25900
新到現(xiàn)貨,只有原裝
 詢價
INFINEON
25+
TO-263
6500
十七年專營原裝現(xiàn)貨一手貨源,樣品免費送
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INFINEON
24+
TO260
48650
優(yōu)勢價格公司庫存~!!
 詢價
更多SGB02N120供應(yīng)商 更新時間2025-4-12 11:55:00

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