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SGL50N60RUFDTU

600 V, 50 A Short Circuit Rated IGBT

GeneralDescription Fairchild?’sRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitching lossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol, uninterruptedpowersupplies(UPS)andgenerali

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SGL50N60RUFDTU

包裝：管件 封裝/外殼：TO-264-3，TO-264AA 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 80A TO264-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

50N60

IGBT-FieldStopII

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

50N60

PowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

50N60

Polar3HiperFETPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

50N60G-TND-T

50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

50N60L-TND-T

50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

AIKW50N60CT

LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

DAM50N60C

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

DACO

DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

DAM50N60G

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

DACO

DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

DTGN50N60

Extremelyenhancedavalanchecapability

GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,highenergy efficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,

DINTEK

DinTek Semiconductor Co,.Ltd

FGA50N60LS

IGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FGW50N60H

DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/50A

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

FGW50N60HD

DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/50A

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

FGW50N60VD

DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/50A

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

G50N60F

InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

G50N60HS

HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGB50N60T

LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGB50N60T

LowLossIGBTinTrenchStoptechnology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGB50N60T

LOWLOSSIGBTINTRENCHANDFIELDSTOPTECHNOLOGY

LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply ?TrenchandFieldstoptechnologyfor600Vapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    SGL50N60RUFDTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，50A

  • 開關(guān)能量：

    1.68mJ（開），1.03mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    26ns/66ns

  • 測(cè)試條件：

    300V，50A，5.9 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-264-3，TO-264AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-264-3

  • 描述：

    IGBT 600V 80A TO264-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
onsemi(安森美)
23+
TO-264-3
1171
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價(jià)
ON
23+
NA
6800
只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ON/安森美
2410+
TO-264
30000
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.
 詢價(jià)
ON/安森美
24+
SMD
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
FAI
24+
300
詢價(jià)
Fairchild
23+
TO-3P
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
FSC正品
22+23+
TO-264
25614
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價(jià)
ON/安森美
24+
SMD
375
原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ON/安森美
24+
TO-264-3
25500
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價(jià)銷售
 詢價(jià)
更多SGL50N60RUFDTU供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-10 23:00:00

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