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SGW10N60A	文件：401.72 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology FastIGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGW10N60A	文件：353.85 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGW10N60AFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 20A 92W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGW10N60RUF	文件：541.97 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGW10N60RUFD	文件：596.68 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SIF10N60C	文件：419.26 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深愛半導(dǎo)體深圳深愛半導(dǎo)體股份有限公司	SISEMIC
SIHJ10N60E	文件：156.43 Kbytes Page：7 Pages	Reducedswitchingandconductionlosses	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SKB10N60	文件：319.38 Kbytes Page：14 Pages	FastS-IGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode ·75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwith lowconductionlosses ·Shortcircuitwithstandtime–10ms ·Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ·NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebe	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SKB10N60	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology ?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SKB10N60A	文件：1.1487 Mbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SKB10N60A	文件：438.56 Kbytes Page：14 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledDiode ●75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ●Shortcircuitwithstandtime–10μs ●Designedfor: ??-Motorcontrols ??-Inverter ●NPT-Technologyfor600Va	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SKP10N60	文件：319.38 Kbytes Page：14 Pages	FastS-IGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode ·75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwith lowconductionlosses ·Shortcircuitwithstandtime–10ms ·Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ·NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebe	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SKP10N60A	文件：438.56 Kbytes Page：14 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledDiode ●75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ●Shortcircuitwithstandtime–10μs ●Designedfor: ??-Motorcontrols ??-Inverter ●NPT-Technologyfor600Va	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SKP10N60A	文件：368.81 Kbytes Page：14 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SKW10N60	文件：319.38 Kbytes Page：14 Pages	FastS-IGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode ·75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwith lowconductionlosses ·Shortcircuitwithstandtime–10ms ·Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ·NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebe	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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SKW10N60A	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology ?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SLB10N60C	文件：290.81 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司	MAPLESMI
SLF10N60C	文件：1.22464 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司	MAPLESMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SGW10N60A
功能描述：
IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	SGW10N60A	INFINEON	24+	P-TO247-3-1	8866		詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	SGW10N60A	INFINEON	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	SGW10N60A	SANYO/三洋	23+	TO-252	69820	終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	SGW10N60A	INFINEON/英飛凌	23+	PG-TO247-3	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	SGW10N60A	英飛翎	22+	TO-247	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司	SGW10N60A	INFINEON	22+	PG-TO247-3	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)
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深圳龐田科技有限公司	SGW10N60A	INFINEON/英飛凌	2023+	TO-247	48	AI智能識(shí)別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	SGW10N60A	INFINEON	22+	PG-TO247-3	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)
深圳市星辰微電科技有限公司	SGW10N60A	INFINEON/英飛凌	22+	TO-247	15000	英飛凌MOS管、IGBT大量有貨	詢價(jià)

更多SGW10N60A供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-24 15:30:00

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