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SGD02N120

Fast S-IGBT in NPT-technology

FastS-IGBTinNPT-technology ?40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: ??-Motorcontrols ??-Inverter ??-SMPS ?NPT-Technologyoffers: ??-verytightparameterdistribution ??-highruggedness,temperaturestablebehavio

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGD02N120

Fast IGBT in NPT-technology

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=3.6V@IC=2A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·Lowthermalresistance APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·MotorDrives ·UPS,PFC ·Generalpurposeinverter

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SGD02N120

Fast IGBT in NPT-technology 40 lower Eoff compared to previous generation

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGD02N120BUMA1

Package:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3

InfineonInfineon Technologies AG

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SGI02N120

FastIGBTinNPT-technology40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

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SGI02N120

FastS-IGBTinNPT-technology

FastS-IGBTinNPT-technology ?40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: ??-Motorcontrols ??-Inverter ??-SMPS ?NPT-Technologyoffers: ??-verytightparameterdistribution ??-highruggedness,temperaturestablebehavio

InfineonInfineon Technologies AG

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SGP02N120

IGBT

DESCRIPTION ·Fastswitching ·LowSwitchingLosses APPLICATIONS ·Motorcontrols ·Inverter ·SMPS

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SGP02N120

FastS-IGBTinNPT-technology

FastS-IGBTinNPT-technology ?40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: ??-Motorcontrols ??-Inverter ??-SMPS ?NPT-Technologyoffers: ??-verytightparameterdistribution ??-highruggedness,temperaturestablebehavio

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGP02N120

FastIGBTinNPT-technology40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

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SGW02N120

FastIGBTinNPT-technology

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    SGD02N120

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
23+
TO-252
2669
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
詢價
INFINEON/英飛凌
2021+
SOT-252
17418
原裝進(jìn)口假一罰十
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Infineon(英飛凌)
23+
N/A
12000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
INFINEON/英飛凌
22+
TO252
9850
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
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ON
22+
TO-252
500
原裝優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨訂貨渠道商
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INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
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INFINEON
24+
TO-252
32
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NFINEON
11+
TO252
4200
原裝現(xiàn)貨價格有優(yōu)勢量多可發(fā)貨
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infineon
2020+
SOT252
3145
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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INFINEON
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣
詢價
更多SGD02N120供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 23:00:00