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SGH30N60RUFDTU

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 48A 235W TO3P

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

SGP30N60

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SGP30N60HS

HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh

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HIGHTSPEEDIGBTCHIPINNPT-TECHNOLOGY

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HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    SGH30N60RUFDTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    919μJ（開），814μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    30ns/54ns

  • 測試條件：

    300V，30A，7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 600V 48A 235W TO3P

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
24+
TO-3P
1224
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價
ON
23+
NA
6800
只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
FAIRCHILD/仙童
2410+
TO-3P
80000
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.
 詢價
SMG
05+
原廠原裝
823
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價
FAI
24+
1620
詢價
FSC可看貨
25+23+
TO-3P
24858
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
 詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價
ON/安森美
24+
TO-3P-3
25500
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價銷售
 詢價
ON/安森美
21+
SMD
30000
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅
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ON
20+
TO-3P
1675
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更多SGH30N60RUFDTU供應(yīng)商 更新時間2025-5-15 17:01:00

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