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SGP10N60RUFDTU

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 16A TO220-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

SGS10N60

ShortCircuitRatedIGBT

GeneralDescription FairchildsRUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswher

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SGS10N60

ShortCircuitRatedIGBT

GeneralDescription FairchildsRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswh

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SGS10N60RUF

ShortCircuitRatedIGBT

GeneralDescription FairchildsRUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswher

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SGS10N60RUFD

ShortCircuitRatedIGBT

GeneralDescription FairchildsRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswh

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SGW10N60

FastIGBTinNPT-technology

FastIGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGW10N60

HighSpeed2-Technology

?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGW10N60A

FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGW10N60A

FastIGBTinNPT-technology

FastIGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGW10N60RUF

ShortCircuitRatedIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    SGP10N60RUFDTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，10A

  • 開關(guān)能量：

    141μJ（開），215μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    15ns/36ns

  • 測(cè)試條件：

    300V，10A，20 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    IGBT 600V 16A TO220-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
onsemi(安森美)
23+
TO-220
1612
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
24+
TO-220-3
3580
原裝現(xiàn)貨/15年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)歡迎詢價(jià)
 詢價(jià)
ON
23+
NA
6800
只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
onsemi/安森美
22+
原裝封裝
10000
品質(zhì)保證,信譽(yù)至上
 詢價(jià)
ON/安森美
2410+
TO-220
12000
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.
 詢價(jià)
ON/安森美
19+
TO-220
177
正規(guī)渠道原裝正品
 詢價(jià)
24+
3000
自己現(xiàn)貨
 詢價(jià)
SMG
05+
原廠原裝
4090
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
FAIRCHILD
22+23+
TO220
37309
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
FSC原裝
24+
TO-220
9860
一級(jí)代理
 詢價(jià)
更多SGP10N60RUFDTU供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-2 23:00:00

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