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SGH30N60RUFDTU 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

SGH30N60RUFDTU參考圖片

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原廠料號：SGH30N60RUFDTU品牌：ON/安森美

百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅

SGH30N60RUFDTU是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝SMD/TO-3P-3，SC-65-3的SGH30N60RUFDTU晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    SGH30N60RUFDTU

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 資料說明：

    IGBT 晶體管 Dis Short Circuit Rated IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    SGH30N60RUFDTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，30A

  • 開關能量：

    919μJ（開），814μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    30ns/54ns

  • 測試條件：

    300V，30A，7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 600V 48A 235W TO3P

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市百域芯科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    鄭小姐

  • 手機：

    13043481413

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23616725

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北都會軒4507

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