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SGD02N120 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
SGD02N120BUMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
3.6V @ 15V,2A
- 開關(guān)能量:
220μJ
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
23ns/260ns
- 測試條件:
800V,2A,91 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-TO252-3-11
- 描述:
IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市英博爾電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
趙經(jīng)理
- 手機:
14704756432
- 詢價:
- 電話:
14704756432
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華強北路1078號現(xiàn)代之窗A座23C1
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- SGB8206NH-1G
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- SGB8206ANTF4G
- SGH-010-0002
- SGH-010-2002
- SGB8206ANT4G
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