SGD02N120 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

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原廠料號(hào):SGD02N120品牌:INFINEON

SGD02N120是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO-252/TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63的SGD02N120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    SGD02N120

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    12 頁

  • 文件大?。?/span>

    386.07 kb

  • 資料說明:

    Fast S-IGBT in NPT-technology

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    SGD02N120BUMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.6V @ 15V,2A

  • 開關(guān)能量:

    220μJ

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    23ns/260ns

  • 測試條件:

    800V,2A,91 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO252-3-11

  • 描述:

    IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    云小姐/廖小姐

  • 手機(jī):

    17727932378

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-88608801

  • 傳真:

    0755-88608801

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)福田街道福華社區(qū)福虹路4號(hào)華強(qiáng)花園C座7A