SGB02N120分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
SGB02N120 |
參數(shù)屬性 | SGB02N120 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3 |
功能描述 | Fast IGBT in NPT-technology Lower Eoff compared to previous generation |
文件大小 |
439.41 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
11 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-25 11:11:00 |
SGB02N120規(guī)格書詳情
SGB02N120屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的SGB02N120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
SGB02N120ATMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
3.6V @ 15V,2A
- 開關能量:
220μJ
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
23ns/260ns
- 測試條件:
800V,2A,91 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
- 供應商器件封裝:
PG-TO263-3-2
- 描述:
IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
23+ |
25900 |
新到現(xiàn)貨,只有原裝 |
詢價 | |||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
SOT-263 |
20000 |
保證原裝正品,假一陪十 |
詢價 | ||
24+ |
N/A |
70000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 | |||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
TO-247 |
15000 |
英飛凌MOS管、IGBT大量有貨 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
2112+ |
PG-TO263-3 |
115000 |
1000個/圓盤一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨, |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
SOT263 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
45000 |
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | |||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO-263 |
90000 |
渠道優(yōu)勢 只做原裝現(xiàn)貨庫存 假一賠十 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
PG-TO263-3 |
12700 |
買原裝認準中賽美 |
詢價 |