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首頁(yè)>SGB10N60AATMA1>芯片詳情
SGB10N60A 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
原廠料號(hào):SGB10N60A品牌:INFINEON
公司進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 批量特價(jià)支持
SGB10N60A是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO-263/TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB的SGB10N60A晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
SGB10N60AATMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,10A
- 開(kāi)關(guān)能量:
320μJ
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
28ns/178ns
- 測(cè)試條件:
400V,10A,25 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-TO263-3-2
- 描述:
IGBT 600V 20A 92W TO263-3
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市賽能新源半導(dǎo)體有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱樺
- 手機(jī):
13510673492
- 詢價(jià):
- 電話:
13510673492
- 地址:
福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)振興路華康大院2棟518
相近型號(hào)
- SGB091
- SGB-13P-03VG
- SGB151M
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- SGB15N120/SN
- SGB07N120E3045A
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- SGB07N120ATMA1
- SGB15N120ATMA1IC
- SGB-07N120
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