首頁(yè)>SGB20N60>芯片詳情

SGB20N60_INFINEON/英飛凌_IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 20A英科美電子

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    SGB20N60

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    INFINEON/英飛凌

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    26800

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO-263

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    2223+

  • 庫(kù)存類型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-12-25 8:36:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào):SGB20N60品牌:INFINEON/英飛凌

只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)

  • 芯片型號(hào):

    SGB20N60

  • 規(guī)格書(shū):

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    11 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    795.82 kb

  • 資料說(shuō)明:

    Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    SGB20N60

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 20A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市英科美電子有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    張先生

  • 手機(jī):

    15507502698

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-23903058

  • 傳真:

    0755-23905869

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟730