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SGH15N60RUFTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3 類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 24A 160W TO3P	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
SGP15N60	文件：339 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration FastIGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highrugg	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGP15N60	文件：415.92 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology FastIGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGP15N60	文件：588.22 Kbytes Page：6 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)RUFseriesprovideslowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.RUFseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrol,UPSandgeneralinverterswhereshort-circuitruggednessisrequir	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SGP15N60RUF	文件：588.22 Kbytes Page：6 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)RUFseriesprovideslowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.RUFseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrol,UPSandgeneralinverterswhereshort-circuitruggednessisrequir	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SGW15N60	文件：339 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration FastIGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highrugg	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGW15N60	文件：415.92 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology FastIGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGW15N60	文件：557.14 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SGW15N60RUF	文件：557.14 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SIHA15N60E	文件：176.25 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHA15N60E	文件：174.55 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHA15N60E	文件：319.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
SIHB15N60E	文件：204.81 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHB15N60E	文件：322.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
SIHF15N60E	文件：319.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
SIHF15N60E	文件：178.5 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHF15N60E	文件：173.06 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912Available APPLICATI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHFP15N60L	文件：898.94 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedfor ??ExternalDiodesinZVSApplications ?LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements ?EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness ?HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity ?Lead(Pb)-freeAvai	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHG15N60E	文件：163.72 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHG15N60E	文件：445.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
SGH15N60RUFTU
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，15A
開關能量：
320μJ（開），356μJ（關）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關）值：
17ns/44ns
測試條件：
300V，15A，13 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝：
TO-3PN
描述：
IGBT 600V 24A 160W TO3P

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市華來深電子有限公司	SGH15N60RUFTU	FCS	23+	TO-3P	8650	受權代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!	詢價
深圳市納艾斯科技有限公司	SGH15N60RUFTU	FCS	2020+	TO-3P	80000	只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增	詢價
深圳市科雨電子有限公司	SGH15N60RUFTU	ON	1503+	TO-3P	3000	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市國宇半導體科技有限公司	SGH15N60RUFTU	FAIRCHILD仙童	23+	TO-3P	10000	公司只做原裝正品	詢價
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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	SGH15N60RUFTU	FAIRCHILD仙童	23+	TO-3P	11200	原廠授權一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO	詢價
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深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司	SGH15N60RUFTU	Fairchild仙童	22+	TO-3P	25000	只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	SGH15N60RUFTU	Fairchild仙童	22+	TO-3P	25000	只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	SGH15N60RUFTU	Fairchild/ON	23+	TO3P	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價

更多SGH15N60RUFTU供應商更新時間2025-1-6 14:49:00

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