首頁(yè) >SGH30N60RUFTU>規(guī)格書列表

零件編號(hào)下載&訂購(gòu)功能描述制造商&上傳企業(yè)LOGO

SGH30N60RUFTU

包裝：管件 封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 48A 235W TO3P

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

SGP30N60

FastIGBTinNPT-technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGP30N60

FastIGBTinNPT-technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGP30N60

FastIGBTinNPT-technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGP30N60HS

HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGP30N60HS

HIGHTSPEEDIGBTCHIPINNPT-TECHNOLOGY

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGW30N60

FastIGBTinNPT-technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGW30N60

FastIGBTinNPT-technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGW30N60

FastIGBTinNPT-technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGW30N60HS

HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SIHA30N60AEL

ELSeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB30N60E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF30N60E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF30N60E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SIHF30N60E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF30N60E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SiHFPS30N60K

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHG30N60E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHG30N60E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHG30N60E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    SGH30N60RUFTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，30A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    919μJ（開(kāi)），814μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    30ns/54ns

  • 測(cè)試條件：

    300V，30A，7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3PN

  • 描述：

    IGBT 600V 48A 235W TO3P

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
FSC/ON
23+
原包裝原封 □□
1164
原裝進(jìn)口特價(jià)供應(yīng) QQ 1304306553 更多詳細(xì)咨詢 庫(kù)存
 詢價(jià)
ON
1503+
TO-3P
3000
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
 詢價(jià)
FAIRCHILD仙童
23+
TO-3P
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
Fairchild/ON
22+
TO3P
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
ON Semiconductor
2022+
TO-3PN
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
Fairchild仙童
22+
TO-3P
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價(jià)
Fairchild仙童
22+
TO-3P
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價(jià)
Fairchild/ON
23+
TO3P
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
Fairchild仙童
24+
TO-3P
12300
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
SEC
23+
TO-3P
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
更多SGH30N60RUFTU供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-11 9:12:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫(kù)存

更多