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SHB110	文件：154.74 Kbytes Page：1 Pages	2SATA-150withRAID0,1	AXIOMTEKAxiomtek Co., Ltd. 艾訊科技艾訊股份有限公司	AXIOMTEK
SIA110DJ	文件：271.63 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?GenIVpowerMOSFET ?TunedforthelowestRDS-Qoss ?100RgandUIStested ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Primarysideswitch ?DC/DCconverter ?Motordriveswitch ?Boostconverter	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHFD110	文件：132.41 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHFL110	文件：1.45555 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?SurfaceMount ?AvailableinTapeandReel ?DynamicdV/dtRating ?Repetitive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHFL110T	文件：1.45555 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?SurfaceMount ?AvailableinTapeandReel ?DynamicdV/dtRating ?Repetitive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHFR110	文件：1.37078 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Power	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHFR110	文件：3.88858 Mbytes Page：7 Pages	DynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR110	文件：782.87 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Surface-mount(IRFR110,SiHFR110) ?Availableintapeandreel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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SIHLD110	文件：1.62889 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團	TFUNK
SIHLL110	文件：1.44194 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness.TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHLL110	文件：356.82 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團	TFUNK
SIHLL110T	文件：1.44194 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness.TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay

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晶體管資料

型號：
SGSD110
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產廠家：
制作材料：
Si-N+Darl
性質：
功率放大（L）_開關管（S）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
80V
最大電流允許值：
25A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
最大耗散功率：
130W
放大倍數(shù)：
β>15
圖片代號：
B-70
vtest：
80
htest：
999900
atest：
25
wtest：
130

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多SGSD110供應商更新時間2024-11-15 11:06:00

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